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納米電子工程與設計碩士雙學位(新加坡科技設計大學-長庚大學)
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Double Degree Masters in Nano-Electronic Engineering & Design (SUTD-CGU)
工科
電氣電子
碩士項目
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項目簡介
專業(yè)方向
電氣電子
入學時間
9月
項目時長
1.5年
項目學費
34400新幣/年
培養(yǎng)目標
<p>新加坡科技設計大學與長庚大學納米電子工程與設計碩士雙學位(新加坡科技設計大學-長庚大學)學位項目由新加坡科技設計大學和長庚大學聯(lián)合辦學,旨在培養(yǎng)下一代納米技術(shù)工程師和設計師。學生將體驗獨特的多學科學習,包括半導體行業(yè)的全部價值鏈,尤其是納米電子設計、生產(chǎn)和測試等新興領域。他們將能夠在新加坡電子行業(yè)轉(zhuǎn)型的背景下的關鍵領域擔任職位。</p>
申請要求
該專業(yè)需要申請者對集成電路設計、研究和可靠性分析有強烈的熱情,并擁有電子/電氣工程或相關領域的強大背景。<br> 也歡迎有相關工作經(jīng)驗的申請者。<br> 所有申請者應具備以下條件:<br> - 至少具有學士學位或以上學歷,學術(shù)成績優(yōu)秀(Second-Upper Honours及以上水平),主修電子/電氣工程或相關領域;或<br> - 具備至少2年相關工作經(jīng)驗。
語言要求
類型
總分要求
小分要求
雅思和托福語言考試分為閱讀、聽力、口語、寫作4個部分,除總分以外,每個部分會有單獨的小分。部分專業(yè)除對雅思和托福有總分要求外,會有單獨的小分要求。其中L代表聽力,R代表閱讀,W代表寫作,S代表口語。
雅思
6.5
/
托福
92
/
申請時間
2024Fall
2023-11-13
開放時間
2024-03-29
Round1
2024Fall Round1

開始時間:2023-11-13

結(jié)束時間:2024-03-29

申請已結(jié)束

課程設置
序號
課程介紹
Curriculum
1
可靠性工程
Reliability Engineering
2
超大規(guī)模集成電路導論:技術(shù)與設計
Introduction to VLSI: Technology and Design
3
超大規(guī)模集成電路測試與評估
Test and Measurement for VLSI
4
高級超大規(guī)模集成電路晶體管模型
Advanced Transistor Modeling for VLSI Design
5
數(shù)字電路
Digital Electronics
6
模擬電子學
Analog Electronics
7
射頻集成電路設計
RF IC Design
8
混合信號設計
Mixed Signal Design
9
生物醫(yī)學電子學
Bio-Medical Electronics
10
納米材料與設備
Nano-Materials and Devices
11
超大規(guī)模集成電路故障分析
Failure Analysis for VLSI
12
超大規(guī)模集成電路失效機制
Failure Mechanisms in VLSI
13
集成電路封裝可靠性
IC Packaging Reliability
14
質(zhì)量工程
Quality Engineering
15
知識產(chǎn)權(quán)
Intellectual Property (IP) Clinic
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1
留學意向
2
基本意向
3
詳細背景
4
了解途徑
1.1 您期望申請學歷是
1.2 您期待的留學地區(qū)是多選
2.1 您的身份狀態(tài)是
2.2 您的目前學歷是
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